Hochleistungs-Längsnaht-Schweißmaschine

Hochfrequenzschweißanlagen

"Silicon Carbide"-Rohrschweißmaschine

Das hocheffiziente Schalterschweißgerät SIC ist für das Induktionsschweißen von Stahlrohren mit gerader Naht konzipiert. Es werden hauptsächlich UJ3C120040K3S (SIC) und DSEI60-06A (Fast-Recovery-Diode), Gleichrichterdioden und modulare Leistungskomponenten bestehend aus Hochleistungs-IGBT und anderen Leistungsgeräten verwendet. Die Hochleistungskondensatorbank C und die Induktivitätsspule L bilden den Strommodus-Parallel-Boost-Resonanzkreis. Diese Art von Schaltung passt sich an hochfrequenzgeschweißte Rohre mit niedriger Lastimpedanz an und erfordert keinen Ausgangstransformator. Dies verbessert nicht nur die Effizienz, sondern erhöht auch die Zuverlässigkeit der gesamten Maschine.

Das hocheffiziente Schaltschweißgerät SIC zeichnet sich durch erhebliche Energieeinsparung, gute Schweißqualität, geringe Größe, einfache Wartung, niedrige Ausfallrate und niedrige Wartungskosten usw. aus.

Die anderen technischen Eigenschaften entnehmen Sie bitte von der Hochleistungs-Induktionsschweißgerät

Vergleich zwischen SiC-Hochleistungs-Schweißgerät und Hochleistungs-Schweißgerät
Typ-Nr. Einschaltwiderstand (Ω) Drain-Source-
Spannung (V)
kont. Drainstrom
(bei 25℃) (A)
MOSFET
IRFP460
270
500
20
SIC
UJ3C120040K3S
35
1200
62
Einschaltverzögerungszeit Anstiegszeit Ausschaltverzögerungszeit Abfallzeit  
MOSFET
18
59
110
58
SIC
33
20
63
20

Vorteile des SIC-JFET (Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor)

Geringer Leitungsverlust

Bei ähnlichen Leistungsniveaus ist der Leitungsverlust von SIC viel geringer als der von MOSFET, fast ein Achtel des MOSFET-Leitungsverlusts. Der Leitungsverlust von SIC ändert sich im Gegensatz zum MOSFET kaum mit der Temperatur

Hohe Nennspannung

Die Durchbruchfeldstärke von SIC ist mehr als zehnmal so groß wie die von Si, daher ist die Sperrspannung von SiC viel höher als die von MOSFET. Die Nennspannung des Mosfet beträgt 500 V, die Nennspannung des SIC kann jedoch 1200 V erreichen.

hohere Arbeitstemperatur

SIC hat eine äußerst stabile Kristallstruktur hinsichtlich der physikalischen Eigenschaften und seine Bandbreite kann 2,2 EV bis 3,3 EV erreichen. Das SIC sorgt also dafür, dass die Schweißgeräte stabil laufen.

Großer Dauerstrom

Bei gleicher Arbeitstemperatur ist der SIC-Dauerstrom mehr als dreimal so groß wie der des MOSFET. Wenn beispielsweise 25 °C der Strom des Mosfet 20 A beträgt, kann der Strom des SiC bis zu 62 A erreichen.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Schaltverlust

Die Wärmeleitfähigkeit von SiC beträgt fast das 2,5-fache der von Si-Material und die Sättigungselektronendriftrate beträgt das Zweifache von der von Si-Material, sodass das SiC-Gerät mit einer höheren Frequenz arbeiten kann. Profitieren Sie von der schnellen Schaltgeschwindigkeit, der Schaltverlust ist deutlich geringer

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass SiC die Eigenschaften einer breiten Bandlücke, eines hohen elektrischen Durchbruchfelds und einer hohen Wärmeleitfähigkeit aufweist. Wenn SiC im Stromversorgungs- und Wechselrichterbereich eingesetzt wird, kann es zu einer höheren Effizienz des Systems, einer größeren Ausgangsleistung, einer kleineren Systemgröße und einer einfacheren Wärmeableitung führen. In diesem Fall ist das SIC-Schweißgerät stabiler und effizienter als herkömmliche Schweißgeräte. Das SiC verbessert die Stabilität des Schweißgeräts in extremen Umgebungen erheblich und reduziert den Stromverbrauch. Im Vergleich zu herkömmlichen Festkörperschweißgeräten kann das SiC-Schweißgerät im Vergleich zum Switch Welder 25–35 % Strom einsparen.